奈米级半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件包含一基材，一基极磊晶半导层含有第一极性的掺杂剂而设在该基材上，及一第一半导层含有第二极性的掺杂剂而设在该基材上。此外该半导体元件包含一第一接面形成于该基极磊晶半导层和第一半导层之间，其具有一区域而至少有一侧向尺寸系小于75nm。

主权项

一种半导体元件，包含：一基材；一基极磊晶半导层含有第一极性的掺杂剂而设在该基材上；一第一半导层含有第二极性的掺杂剂而设在该基材上；及一第一接面形成于该基极磊晶半导层和第一半导层之间，该第一接面具有一区域至少有一侧向尺寸小于约75nm。