半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法。是先于一基底上依序形成闸介电层、多晶矽层与一图案化顶盖层，再以图案化顶盖层为罩幕，图案化多晶矽层以形成一多晶矽闸极。接着，于多晶矽闸极两侧的基底中形成数个LDD区并使LDD区之间的基底成为一通道区。然后，于多晶矽闸极的侧壁上形成间隙壁，再于间隙壁的外侧基底中形成一源极与汲极。之后陆续去除顶盖层及间隙壁。尔后再进行金属矽化制程，将多晶矽闸极完全转变为矽化金属闸极，同时于源极与汲极表面形成一矽化金属层。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：于一基底上依序形成一闸介电层、一多晶矽层与一图案化顶盖层；以该图案化顶盖层为罩幕，图案化该多晶矽层，以形成一多晶矽闸极；于该多晶矽闸极两侧的该基底中形成多数个LDD区，并使该些LDD区之间的该基底成为一通道区；于该多晶矽闸极的侧壁上形成一间隙壁；于该间隙壁外侧的该基底中形成一源极与一汲极；去除该顶盖层；去除该间隙壁；以及在移除该顶盖层与该间隙壁之后，进行一金属矽化制程，使该多晶矽闸极层完全转变为一矽化金属闸极，同时于该源极与该汲极的表面形成一矽化金属层。