含有掺杂高电介系数侧壁间隔件之场效电晶体之汲极／源极延伸结构

摘要

于场效电晶体之闸极电极上之高电介系数[high-k]电介质间隔件元件结合来自该高电介系数间隔件元件之掺杂物扩散进入下层半导体区域而形成之延伸区，系适用以增加该延伸区中的电荷载子密度。此方式可以克服延伸区中之电荷载子密度限制至大约延伸区中之掺杂物的固体溶度的情况，因而能有极浅之延伸区而不会不当地减损电晶体性能。

主权项

一种形成场效电晶体之方法，该方法包括：在基板上形成掺杂之高电介系数[high-k]电介质层，该基板包括形成在主动区域上的闸极电极，在该闸极电极和该主动区域之间藉由闸极绝缘层分隔开；对该基板施行热处理，使掺杂物从该掺杂之高电介系数电介质层扩散进入该主动区域以形成延伸区；图案化该掺杂之高电介系数电介质层以在该闸极电极之侧壁形成侧壁间隔件；以及用该侧壁间隔件作为植入遮罩而施行离子植入制程，以形成该场效电晶体之源极和汲极区域。