发明名称 奈米结晶矽点层的制造方法
摘要 一种奈米结晶矽点层的制造方法,此方法是在基底上形成一矽层,此矽层为一个混合结构包括一个部份结晶矽区域与一个部分非晶矽区域。然后,进行氧化制程,以使全部的非晶矽区域以及结晶矽区域的表面氧化成氧化矽,以形成一含奈米结晶矽点的氧化矽层。
申请公布号 TWI318436 申请公布日期 2009.12.11
申请号 TW095129180 申请日期 2006.08.09
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 卢棨彬
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项 一种奈米结晶矽点层的制造方法,包括:在一基底上形成一矽层,此矽层为一个混合结构包括一个部份结晶矽区域与一个部分非晶矽区域;以及进行一氧化制程,使全部的该些非晶矽区域以及该些结晶矽区域的表面氧化成氧化矽,以形成一含奈米结晶矽颗粒的氧化矽层。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号