Durchlassstromeinstellung für Transistoren, die in dem gleichen aktiven Gebiet gebildet sind, durch lokales Hervorrufen unterschiedlicher lateraler Verformungspegel in dem aktiven Gebiet

摘要

Der Durchlassstrom eines Herabziehtransistors und eines Durchlasstransistors, die in einem gemeinsamen aktiven Gebiet ausgebildet sind, wird auf der Grundlage eines verformungsinduzierenden Mechanismus, etwa eines verspannten dielektrischen Materials und einer Verspannungsgedächtnistechnik eingestellt, wodurch eine insgesamt vereinfachte geometrische Anordnung des aktiven Gebiets erreicht wird. Somit können statische RAM-Zellen auf der Basis einer minimalen Kanallänge mit einer vereinfachten Gestalt des aktiven Gebiets hergestellt werden, wodurch ausgeprägte Ausbeuteverluste, wie sie in modernsten Bauelementen beobachtet werden, in denen ausgeprägte Unterschiede der Transistorbreite zur Einstellung des Verhältnisses der Durchlassströme für den Herabziehtransistor und den Durchlasstransistor eingesetzt werden, vermieden werden.