Halbleiterbauelement mit Metallleitungen mit einer selektiv gebildeten dielektrischen Deckschicht

摘要

Es wird eine dielektrische Deckschicht eines modernen Metallisierungssystems in lokal beschränkter Weise vorgesehen, um damit einen direkten Kontakt des dielektrischen Materials einer Metallisierungsschicht mit einem dielektrischen Material mit kleinem epsilon mit einer nachfolgenden Metalliserungsschicht zu ermöglichen, wodurch sich eine bessere Haftung und eine insgesamt bessere mechanische Integrität ergeben.