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Ce transistor (2) supraconducteur à effet de champ comprend une électrode de source (4) et une électrode de drain (6), reliées par un canal (12) supraconducteur, le canal (12) et les électrodes de source (4) et de drain (6) étant disposés sur un substrat (16), et une électrode de grille (8) recouvrant le canal (12). Une couche (14) de matériau semi-conducteur est disposée entre le canal (12) et l'électrode de grille (8), pour permettre un contrôle du courant critique du canal (12) supraconducteur, entre une valeur minimale Ic_min et une valeur maximale Ic_max, par contrôle de la rugosité de surface dudit canal (12), ladite rugosité de surface étant contrôlée par combinaison de l'effet de proximité entre le canal (12) supraconducteur et la couche (14) de matériau semi-conducteur, et de l'effet de champ dans la couche (14) de matériau semi-conducteur par polarisation de l'électrode de grille (8).
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