| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit vertikalem Resonator, aufweisend einen Substratbasisabschnitt (1) und eine auf und/oder an dem Substratbasisabschnitt angeordnete Mesa (M), wobei die Mesa im Wesentlichen senkrecht zur Substratbasisebene gesehen, umfasst: zumindest einen Teil eines ersten, dem Substratbasisabschnitt zugewandt angeordneten Dotierbereiches (2), zumindest einen Teil eines zweiten, dem Substratbasisabschnitt abgewandt angeordneten Dotierbereiches (4) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Dotierbereich angeordneten aktiven Bereich (3) mit mindestens einer aktiven Schicht (A) mit laseremittierender Zone, welche imert, dadurch gekennzeichnet, dass die Mesa (M) in indestens eine Einschnürung (E) aufweist. |
