| 主权项 |
1.一种昇压脉冲产生电路,包括:一输入端点,接收一输入信号;一第一反相器电路,在该第一电位节点和一第二电位节点间连接及接收该输入信号;一第二反相器电路,在该第一电位节点和该第二电位节点间经一二极体连接之MOS电晶体连接及连接该输入端点及一输出端点;一电容器,其在一该第一反相器电路之输出端点和一该二极体及第二反相器电路之连接节点之间连接;及其特征在于:一该MOS电晶体之背闸系连接至其闸极。2.如申请专利范围第1项所述之昇压脉冲产生电路,该MOS电晶体系一P通道MOS电晶体。3.如申请专利范围第1项所述之昇压脉冲产生电路,该MOS电晶体系一N通道MOS电晶体。图示简单说明:第一图系本发明应用之DRAM的方块图。第二图系绘示本发明之MOS电晶体之临限电压相关于背闸和源极间之电压的特性图表。第三图系本发明之一实施例之昇压脉冲产生电路的电路图。第四(a)至(c)图系本发明之VBB产生电路的动作的时序图。第五图系本发明之昇压脉冲产生电路的修正例的电路图。第六(a)至(f)图系本发明之昇压脉冲产生电路的动作时序图。第七图系习知之昇压脉冲产生电路的电路图。第八(a)至(c)图系习知之昇压脉冲产生电路的动作时序图。 |
