Erhöhen der Verspannungsübertragungseffizienz in einem Transistor durch Verringern der Abstandshalterbreite während der Drain- und Source-Implantationssequenz,申请号DE200810016512-传众专利搜索

发明名称	Erhöhen der Verspannungsübertragungseffizienz in einem Transistor durch Verringern der Abstandshalterbreite während der Drain- und Source-Implantationssequenz
摘要
申请公布号	DE102008016512(B4)	申请公布日期	2009.12.03
申请号	DE200810016512	申请日期	2008.03.31
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG	发明人	WIATR, MACIEJ;BOSCHKE, ROMAN;MOWRY, ANTHONY
分类号	H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/092	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
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