发明名称 |
Steuerung für tiefe Temperaturen in einem Halbleiterbauelement |
摘要 |
Der Betrieb komplexer integrierter Schaltungen bei tiefen Temperaturen kann verbessert werden, indem aktive Heizelemente in der integrierten Schaltung vorgesehen werden, um damit die Temperatur zumindest kritischer Schaltungsbereiche während entsprechender Betriebsphasen anzuheben, beispielsweise beim Einschalten. Folglich kann ein verbessertes Betriebsverhalten bei tiefer Temperatur auf der Grundlage bestehender Prozesselemente erreicht werden, um damit für erhöhte Entwurfsstabilität zu sorgen, ohne dass teuere Schaltungssimulationen oder eine Umgestaltung gut etablierter Schaltungsarchitekturen erforderlich sind.
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申请公布号 |
DE102008026135(A1) |
申请公布日期 |
2009.12.03 |
申请号 |
DE20081026135 |
申请日期 |
2008.05.30 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LLC & CO. KG |
发明人 |
MOWRY, ANTHONY;SCOTT, CASEY;WIATR, MACIEJ;RICHTER, RALF |
分类号 |
H01L23/34;H01L23/50;H01L29/86 |
主分类号 |
H01L23/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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