SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH ASYMMETRICAL EDGE TERMINATION

摘要

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass das als Halbleitermaterial verwendete 4H-SiC eine gegenüber einer Normalen der Hauptoberfläche des Halbleiterbauelements geneigte (kristallographische) C-Achse aufweist und dass der in Neigungsrichtung der C-Achse liegende Bereich (105a) des das aktive Gebiet (103) rahmenförmig umfassenden Randabschlusses (105) eine größere Breite (W1), eine größere Tiefe und/oder eine höhere Dotierstoffkonzentration aufweist als der entsprechende Parameter (Breite W2 < W1) des gegenüberliegend angeordneten Bereichs (105b) des Randabschlusses (105). Der Randabschluss des Halbleiterbauelements besitzt somit einen hinsichtlich der Breite, der Tiefe oder der Dotierstoffkonzentration unsymmetrischen Aufbau, so dass sich die Stromlast im Falle eines Lawinendurchbruchs flächig gleichmäßig über den Randabschluss verteilt.