| 主权项 |
1.一种防止气体外泄之氧化炉系统(furnace system),该系统包含:一底部平板,用以承载该系统之晶舟,而晶片置于晶舟之内;一反应炉管,设置于该底部平板之上用以进行半导体制程,该晶舟置于该反应炉管之中;一气体注入装置,藉由第一注入口连接于该反应炉管用以注入制程所需之气体;一气体排除次系统(exhausting subsystem),藉由一出口连接于该反应炉管用以排除制程产生之气体;一真空防漏装置(vacuum seal),以第二注入口连接于该反应炉管用以防止该反应炉管中之气体外泄,该真空防漏装置与该气体排除次系统连接;及一氮气防漏装置(N2 seal),以第三注入口连接于该反应炉管用以防止该反应炉管中之气体外泄。2.如申请专利范围第1项之氧化炉系统,其中上述之气体排除次系统包含:第一节点、第二节点、第三节点与第四节点;一气压控制装置,连接于该反应炉管用以侦测并控制该氧化炉系统之气压;一节气闸,连接于该气压控制装置做为缓冲器;废气处理装置,连接于该节气闸用以处理制程之废气;一液体收集装置,藉由该第三节点与该反应炉管连接用以收集液体做为水封,该第三节点位于该反应炉管与该气压控制装置之间;一液体排出装置,连接于该液体排出装置用以排出该液体收集装置之液体;一第一开口阀门,藉由该第四节点与该反应炉管连接用以改善气压之不稳定度,该第四节点位于该反应炉管与该第三节点之间;至少一个第一阀门连结于该气体排除次系统之上用以调整该气体之气压与流量;及至少一个第二阀门连结于该气体排除次系统之上以调整该气体气压之不稳定度,其中上述之第一节点位于该节气闸与该气压控制装置之间,上述之第二节点位于该液体收集装置与该液体排出装置之间。3.如申请专利范围第2项之氧化炉系统,其中上述之真空防漏装置藉由该第一节点与该第二节点与该气体排除次系统连接。4.如申请专利范围第3项之氧化炉系统,其中上述之真空防漏装置包含:第五节点与第六节点;一第二开口阀门,藉由第六节点连接于该真空防漏装置用以改善气压之不稳定度,上述之第五节点连接于该反应炉管,该第六节点位于该第五节点与该第一节点之间;至少一第三阀门连结于该真空防漏装置用以调整该气体之气压与流量;及复数个第四阀门连结于该真空防漏装置之上以调整该气体气压之不稳定度。5.如申请专利范围第1项之氧化炉系统,其中上述之氮气防漏装置至少包含一第五阀门连结于该氮气防漏装置之上用以做为缓冲器以调整该气体气压之不稳定度。6.如申请专利范围第3项之氧化炉系统,其中上述之第一阀门设置于该气压控制装置与该第一节点之间,该第一阀门设置于该液体收集装置与该第二节点之间,该第一阀门设置于该反应炉管与该第三节点之间。7.如申请专利范围第6项之氧化炉系统,其中上述之第二阀门设置于该第二节点与该第一阀门之间。8.如申请专利范围第4项之氧化炉系统,其中上述之第三阀门设置于该第一节点与该第二开口阀门之间。9.如申请专利范围第4项之氧化炉系统,其中上述之第四阀门设置于该第五节点与该第二节点之间。10.一种防止气体外泄之氧化炉系统(furnace system),该系统包含:一底部平板,用以承载该系统之晶舟,而晶片置于晶舟之内;一反应炉管,设置于该底部平板之上用以进行半导体制程,该晶舟置于该反应炉管之中;一气体注入装置,以第一注入口连接于该反应炉管用以注入制程所需之气体;一气体排除次系统(exhaustingsubsystem),藉由一出口连接于该反应炉管用以排除制程产生之气体,该气体排除次系统具有第一节点、第二节点、第三节点与第四节点,该气体排除次系统包含:(a)一第一阀门,连接于该反应炉管用以调整气体之流量与气压,该第三节点连结于该第一阀门;(b)一气压控制装置,连接于该反应炉管用以侦测并控制该氧化炉系统之气压;(c)一第二阀门,连接于该气压控制装置用以调整气体之流量与气压,该第一节点连结于该第二阀门;(d)一节气闸,连接于该第一节点做为缓冲器;一废气处理装置,连接于该节气闸用以处理制程之废气;(e)一液体收集装置,连接于该第三节点用以收集液体做为水封,该第三节点位于该反应炉管与该气压控制装置之间;(f)一第三阀门连结于该液体收集装置以调整液体排放之气压、流量;(g)复数个第四阀门连结于该第三阀门用以做为缓冲器以调整该气体气压之不稳定度,该第二节点连结于该第四阀门;(h)一液体排出装置,连接于该第二节点用以排出该液体收集装置之液体;(i)一第一开口阀门,藉由该第四节点与该第五阀门连接用以改善气压之不稳定度,该第四节点位于该第一阀门与该第三节点之间;一真空防漏装置(vacuum seal),以第二注入口连接于该反应炉管用以防止该反应炉管中之气体外泄,该真空防漏装置藉由该第一节点与该第二节点与该气体排除次系统连接,该真空防漏装置具有第五节点与第六节点,该真空防漏装置包含:(a)一第五阀门,连接于该反应炉管做为缓冲器以调整该气体气压之不稳定度,该第五节点位于该第三阀门与该反应炉管之间;(b)一第二开口阀门,藉由第六节点连接于该第五阀门用以改善气压之不稳定度,上述之第六节点连接于该第五阀门;(c)一第六阀门,连接于该第六节点用以调整气体之气压与流量;(d)复数个第七阀门连结于该第五节点用以做为缓冲器以调整该气体气压之不稳定度,该第七阀门位于该第二节点与该第五节点之间;及一氮气防漏装置(N2 seal),以第三注入口连接于该反应炉管用以防止该反应炉管中之气体外泄。11.如申请专利范围第10项之氧化炉系统,其中上述之氮气防漏装置至少包含一第八阀门连结于该氮气防漏装置之上用以调整气体流量。图式简单说明:第一图为传统具真空防漏装置之防气体外泄氧化炉系统;第二图为传统具氮气防漏装置之防气体外泄氧化炉系统;第三图为另一传统改善式具氮气防漏装置之防气体外泄氧化炉系统;及第四图为本发明之防气体外泄氧化炉系统。 |
