N-leitender Gruppe III Nitrid-basierter Verbindungshalbleiter und Herstellungsverfahren dafür

摘要

Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Realisierung der Herstellung eines hoch qualitativen n-leitenden Halbleiter-Kristalls mit hoher Elektronenkonzentration mit dem Flussmittelprozess. Das Verfahren der Erfindung zur Herstellung eines n-leitenden Gruppe III Nitrid-basierten Verbindungshalbleiters mit dem Flussprozess, das Verfahren einschließlich des Vorbereitens einer Schmelze durch Schmelzen von zumindest einem Gruppe III Element unter Verwendung eines Flussmittels; das Zuführen eines Sdas Wachsen eines n-leitenden Gruppe III Nitrid-basierten Verbindungshalbleiter-Kristalls auf einem Impfkristall aus der Schmelze. Bei dem Verfahren werden Kohlenstoff und Germanium in der Schmelze gelöst, und Germanium wird als Donator in den Halbleiter-Kristall eingebracht, um dadurch einen n-leitenden Halbleiter-Kristall herzustellen. Der prozentuale Anteil an Mol von Germanium bezüglich Gallium in der Schmelze beträgt 0,05 mol% bis 0,5 mol%, und der prozentuale Anteil an Mol von Kohlenstoff bezüglich Natrium beträgt 0,1 mol% bis 3,0 mol%.