| 主权项 |
1.一种制造非等向性传导介质之方法,包含以下之步骤:提供具有一对表面与延伸于该表面间之复数通道之非传导基质物质体,该通道具有范围为100至100,000A之直径;以传导物质之液体先质充填该通道;及转化该液体先质成为形成经该通道之传导路径之传导物质,其中该液体先质藉由蒸发该液体,及加热乾燥之物质以分解,而转化成传导物质。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该通道藉真空吸取而充填。3.根据申请专利范围第1项之方法,包括在该通道末端形成接触该传导路径之焊锡凸出之进一步步骤。4.根据申请专利范围第1或3项之方法,其中该液体先质转化成形成中空、管状传导路径之传导物质。5.根据申请专利范围第1或3项之方法,其中该液体先质转化成多孔性传导物质。6.根据申请专利范围第1或3项之方法,其中该液体先质包含包括金属离子之水溶液。7.根据申请专利范围第1或3项之方法,其中该液体先质包含高温超导体之先质。8.根据申请专利范围第1或3项之方法,其中该液体先质包含熔融之盐。9.一种非等向性传导介质,包含:具有一对主要表面与延伸于该表面间之复数通道之非传导基质物质体,该通道具有范围为100至100,000A之直径;及以在该通道表面为至少104路径/平方公分之密度,配置于形成管状传导路径之该通道之传导物质。10.根据申请专利范围第9项之非等向性传导介质,更包含在该主要表面之焊锡凸出,对该路径形成接点。11.一种非等向性传导介质,包含:具有一对表面与延伸于该表面间之复数通道之非传导基质物质体,该通道具有范围为100至100,000A之直径;及以在该通道表面为至少104路径/平方公分之密度,配置于形成传导性路径之该通道的多孔性传导物质。12.根据申请专利范围第11项之非等向性传导介质,更包含在该主要表面之焊锡凸出,对该路径形成接点。13.一种电路装置,包含一对藉由根据申请专利范围第9项之非等向性传导介质而连接之装置。14.一种电路装置,包含一对藉由根据申请专利范围第11项之非等向性传导介质而连接之装置。图式简单说明:第一图为显示制造高密度、非等向性传导合成介质之步骤之方块图;第二图示地描述以传导物质之液体先质充填垂直通道之范例步骤;第三图为第一图之方法所制造之非等向性传导合成物的一个具体实施例之图示横切面图;第四图为非等向性传导合成物之第二具体实施例之图示横切面图;第五图A与第五图B描述第三图与第四图之合成物,以焊锡凸出封锁传导路径;第六图为使用非等向性传导合成介质之电路装置的高密度结合连接之范例具体实施例。 |
