发明名称 | 一种大功率雪崩整流二极管的生产方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种大功率雪崩整流二极管的生产方法,包括扩散、焊接、酸洗和封装步骤,所述的酸洗步骤中,将酸液温度控制在-30~-20℃对整流二极管进行腐蚀,酸洗时间为15~20分钟。本发明的生产方法通过对酸液进行低温控制,避免了酸洗工艺上的温升快、时间短所造成的器件一致性差、合格率低的缺陷,同等人工条件下可处理较现有技术10倍左右数量的二极管,较大幅度地提高了生产效率,降低了生产成本;且二极管产品电特性好,芯片合格率达到95%以上。 | ||
申请公布号 | CN101593694A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
申请号 | CN200910100121.2 | 申请日期 | 2009.06.29 |
申请人 | 缙云县志远电子有限公司 | 发明人 | 叶锦铭 |
分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 | 杭州赛科专利代理事务所 | 代理人 | 王桂名 |
主权项 | 1、一种大功率雪崩整流二极管的生产方法,包括扩散、焊接、酸洗和封装步骤,其特征在于:所述的酸洗步骤中,将酸液温度控制在-30~-20℃对整流二极管进行腐蚀,酸洗时间为15~20分钟。 | ||
地址 | 321402浙江省缙云县洋山工业区笕溪路6号 |