| 发明名称 | 制造半导体存储装置的方法及用该方法制造的半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制造半导体存储装置的方法及用该方法制造的半导体存储装置，该方法包括制造单元阵列以减小在位线与栅极图案之间产生的寄生电容。该方法可以包括通过存储节点插塞触点掩模和位线插塞掩模来确定插塞区域。该方法还可以包括：形成单元晶体管的栅极图案，并且在包括该栅极图案的结构上沉积绝缘层；以及在绝缘层上形成硬掩模层。 | ||
| 申请公布号 | CN101593726A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810173679.9 | 申请日期 | 2008.11.07 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李相敦 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体存储装置的方法，包括：通过存储节点插塞触点掩模和位线插塞掩模来确定插塞区域。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||