发明名称 |
具有在退火的高-k栅介电层上形成的金属栅电极的半导体器件 |
摘要 |
一种形成具有退火的栅介电层的晶体管栅堆叠的方法,其通过提供包括由沟槽而被分离的第一和第二间隔物的衬底而开始。在所述衬底上以及所述沟槽之内沉积共形的高-k栅介电层,并且其中所述高-k栅介电层的厚度大于或等于3埃并且小于或等于60埃。接着,在所述高-k栅介电层上沉积盖层,其中所述盖层基本上填充所述沟槽并且基本上覆盖所述高-k栅介电层。然后在大于或等于600℃的温度下退火所述高-k栅介电层。除去所述盖层以暴露所述退火的高-k栅介电层。然后在所述退火的高-k栅介电层上沉积金属层。可以使用CMP工艺除去多余的材料并完成所述晶体管栅堆叠的形成。 |
申请公布号 |
CN100565811C |
申请公布日期 |
2009.12.02 |
申请号 |
CN200680031961.2 |
申请日期 |
2006.08.03 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
S·裴;J·麦斯;J·布拉斯克;G·德维;J·卡瓦利罗斯;R·仇;S·达塔 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘 锴;韦欣华 |
主权项 |
1.一种方法,包含:提供衬底;在所述衬底上形成高-k栅介电层;在所述高-k栅介电层上形成盖层;退火所述高-k栅介电层以形成退火的高-k栅介电层;除去所述盖层以暴露所述退火的高-k栅介电层;和在所述退火的高-k栅介电层上形成金属层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |