| 发明名称 | 应变NMOS器件以及应变CMOS器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种应变NMOS器件的制造方法，包括：提供具有栅极结构的半导体基底；在所述栅极结构两侧的半导体基底中形成源极和漏极；其中，在形成所述栅极结构之后、形成所述源极和漏极之前，或者在形成所述源极和漏极之后，进一步包括：通过离子注入，在所述栅极结构两侧的半导体基底中掺入碳杂质；执行固相外延工艺，使所述碳杂质与硅反应，形成应变碳化硅层。本发明还提供一种应变CMOS器件的制造方法。本发明的形成的应变MOS器件中应变碳化硅层中碳的含量较高，使碳化硅材料的外延层施加于NMOS导电沟道中的应力大大增加；可有效提高载流子的迁移率，从而使得驱动电流增大，NMOS器件性能得到提升。 | ||
| 申请公布号 | CN101593701A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810113997.6 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 吴汉明;王国华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种应变NMOS器件的制造方法，包括：提供具有栅极结构的半导体基底；在所述栅极结构两侧的半导体基底中形成源极和漏极；其特征在于，在形成所述栅极结构之后、形成源极和漏极之前，或者在形成所述源极和漏极之后，还包括如下步骤：通过离子注入，在所述栅极结构两侧的半导体基底中掺入碳杂质；执行固相外延工艺，使所述碳杂质与硅反应，形成应变碳化硅层。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||