| 发明名称 | 高功率发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高功率发光装置，具有未人为掺杂掺杂物的未掺杂型半导体层，未掺杂型半导体层包含周期结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101593800A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810108805.2 | 申请日期 | 2008.05.26 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 林锦源 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种发光装置，包含：支持基板；接合层，位于该支持基板之上；第一掺杂型半导体层，位于该接合层之上；发光层，位于该第一掺杂型半导体层之上；第二掺杂型半导体层，位于该发光层之上；以及未掺杂型半导体层，位于该第二掺杂型半导体层之上，其中该未掺杂型半导体层未被人为地掺杂掺杂物，而且具有周期结构位于其上表面，以及至少一开口向下延伸以裸露部分该第二掺杂型半导体层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||