| 发明名称 | 使用超临界溶剂在半导体基板上形成和沉积金属薄膜的组合物和方法 | ||
| 摘要 | 揭露在半导体基板上沉积元素和金属M(0)薄膜的组合物和方法。一种揭露的方法包含：加热该半导体基板以获得加热过的半导体基板；将该加热过的半导体基板暴露于包含至少一种金属前体、过量的中性不稳定配位体和超临界溶剂的组合物中；将该金属前体暴露于该加热过的半导体基板上的或该加热过的半导体基板附近的还原剂和/或热能中；通过使用该还原剂和/或该热能，将该金属前体还原为该元素金属M(0)；以及沉积该元素金属M(0)薄膜，同时使得金属氧化物的形成最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN101595243A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200880003649.1 | 申请日期 | 2008.01.28 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 马克伊安·瓦格纳 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1.一种用于在半导体基板上形成和沉积M(0)薄膜的组合物，包含：至少一种金属前体；中性不稳定配位体；以及至少一种超临界溶剂。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||