发明名称 |
用于光电子学的半导体芯片及其制造方法 |
摘要 |
半导体芯片,尤其是发射辐射的半导体芯片,它具有一个有源薄膜层(2)和一个用于薄膜层(2)的载体衬底(1),在该薄膜层中形成一个发射光子的区域(3),该衬底设置在薄膜层(2)的背对芯片辐射方向的那侧上并与该薄膜层连接。在有源薄膜层(2)中,从载体衬底(1)起形成至少一个孔洞(8),通过该孔洞,在载体衬底(1)与薄膜层(2)之间的分界处形成许多个台面(4)。 |
申请公布号 |
CN100565942C |
申请公布日期 |
2009.12.02 |
申请号 |
CN01817035.8 |
申请日期 |
2001.08.08 |
申请人 |
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
发明人 |
S·伊莱克;A·普勒斯尔;K·施特罗伊贝尔;W·维格莱特;R·维尔斯 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
胡 强;赵 辛 |
主权项 |
1.发射辐射的半导体芯片,它具有一个薄膜层,在该薄膜层中形成一个发射光子的有源区(3),所述薄膜层在背对半导体芯片的发射方向的一侧上设有至少一个孔洞,通过所述孔洞形成了多个台面,使得所述薄膜层包括所述多个台面以及一个与所述台面邻接的覆层,其中所述孔洞的深度构造成使孔洞并不断开所述有源区,从而使所述有源区形成在所述覆层内。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |