| 发明名称 | 氧化铟-氧化锌-氧化镁类溅射靶及透明导电膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在溅射时不会产生节结的靶。另外，还提供蚀刻性优良并且特别是在400～450nm区域的透明性方面优良的非晶态透明导电膜。是含有氧化铟、氧化锌、氧化镁的溅射靶，该溅射靶在溅射时不会产生节结。另外，是含有氧化铟、氧化锌、氧化镁的非晶态透明导电膜，该非晶态透明导电膜在蚀刻性方面优良，并且400～450nm区域的光线透过率高。 | ||
| 申请公布号 | CN100564579C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200580009752.3 | 申请日期 | 2005.02.23 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;松原雅人;笘井重和;岛根幸朗 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱 丹 |
| 主权项 | 1.一种溅射靶，其特征是，含有由氧化铟及氧化锌构成的以通式In2O3(ZnO)m表示的六方晶层状化合物、和由氧化铟和氧化镁构成的In2MgO4，这里，m为3～20的整数，并且[In]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.74～0.94，[Zn]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.05～0.25，[Mg]/([In]+[Zn]+[Mg])＝0.01～0.20，[In]表示单位体积中的铟原子的数目，[Zn]表示单位体积中的锌原子的数目，[Mg]表示单位体积中的镁原子的数目。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||