半导体器件边缘终端结构及方法

摘要

在一个实施方案中，在具有第一导电类型的一半导体层内形成一个边缘终端结构。该终端结构包括一个隔离槽和一个和半导体层相接触的导电层。该半导体层是在具有第二导电类型的一片半导体基片上形成的。在一个进一步的实施方案中，该隔离槽包括多个形状，这些形状包含部分半导体层。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于：具有第一导电类型的半导体基片；覆在该半导体基片上形成的、具有第二导电类型的半导体层，其中该半导体层与该半导体基片形成用于该半导体器件的主阻挡结；在该半导体层的一部分中形成的有源器件，其中该有源器件的特征在于：具有第二导电类型的第一掺杂区；在第一掺杂区中形成的具有第一导电类型的第二掺杂区；以及邻近第一和第二掺杂区形成的控制电极；以及在半导体器件的外围处形成的边缘终端结构，其中该边缘终端结构的特征在于：在半导体层中形成的具有第二导电类型的第三掺杂区；耦合至第三掺杂区的第一导电层；以及在邻近第三掺杂区的半导体层中形成的隔离槽。