半导体等离子处理设备及方法

摘要

一种半导体等离子处理设备，消除了电感耦合等离子源经常产生的侧边基团浓度较高的现象，从而提高了其中的蚀刻均匀性。该设备包括：远程等离子源，用于通过激活处理气体而产生大量的基团和离子；处理室，其具有让被激活的处理气体通过的入口；设置在处理室中的基座，在该基座上安置晶片；以及设置在处理室中的电感耦合等离子源，用于向被激活的处理气体提供高频能量。利用所述的远程和电感耦合等离子源，产生大量的足以进行蚀刻过程的基团和离子，因此，蚀刻反应活泼地进行，从而提高蚀刻效率。

主权项

1.一种半导体等离子处理设备，包括：远程等离子源，用于激活处理气体而产生基团和离子；具有入口的处理室，所述被激活的处理气体经由该入口流进所述处理室；设置在所述处理室中的基座，在该基座上安置晶片；设置在所述处理室中的电感耦合等离子源，用于向所述被激活的处理气体提供高频能量，以及气体分布板，其包括：一通道，用于将所述被激活的处理气体从远程等离子源直接供入所述处理室；气体入口，非活性气体流入该气体入口，所述气体入口位于所述处理室顶部，并经由所述气体入口将非活性气体均匀地供入所述处理室中，其中，所述处理气体为Cl2、HBr或CF4，所述非活性气体为O2或N2。