| 主权项 |
1.一种制造CMOS元件的方法,包括:形成一PMOS区域;形成一NMOS区域;以氮处理PMOS区域的表面;在NMOS区域之上形成第一氧化物区域;在PMOS区域之上形成第二氧化物区域,第二氧化物区域比第一氧化物区域还薄;以及在NMOS区域上之第一氧化物区域上形成一NMOS闸极;以及在PMOS区域上之第二氧化物区域上形成一PMOS闸极。2.一种制造CMOS元件的方法,包括:形成第一传导型态的PMOS区域;形成临近PMOS区域第二传导型态的NMOS区域;在PMOS以及NMOS区域之上形成绝缘层使得在PMOS上的绝缘层比NMOS上的绝缘层还薄;在绝缘层之上形成共闸极;在PMOS区域形成第二传导型态的PMOS源极/汲极区域并对准共闸极;以及在NMOS区域形成第一传导型态的NMOS源极/汲极区域并对准共闸极。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中绝缘层为氧化物。4.根据申请专利范围第3项之方法,在形成绝缘层之前,还包括处理PMOS区域的部分表面来减缓该部分表面氧化速率。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中处理部分表面包括以氮来处理表面。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中处理部分之上的绝缘层厚度比在NMOS区域绝缘层厚度的2/3还小。7.根据申请专利范围第2项之方法,还包括耦合到NMOS汲极及PMOS源极的导线。8.根据申请专利范围第4项之方法,其中处理PMOS区域的部分表面包括将氮植入PMOS区域的表面。9.根据申请专利范围第2项之方法,其中PMOS源极/汲极区域宽度与NMOS源极/汲极区域的宽度相同。10.一种CMOS元件,包括:一PMOS区域;一NMOS区域;一共闸极在NMOS区域及PMOS区域之上;在其闸极及NMOS区域之间的第一氧化物区域;以及在共闸极及PMOS区域之间的第二氧化物区域,第二氧化物区域比第一氧化物区域还薄。图式简单说明:第一图系习知CMOS元件的平面图;第二图系分裂闸氧化物CMOS较佳实例的平面图;第三图系第二图元件的剖面图;第四图及第五图系第三图元件两阶段制造的剖面图;第六图系第二图元件PMOS元件源极/汲极区域的剖面图;第七图系第二图元件NMOS元件源极/汲极区域的剖面图; |
