| 主权项 |
1.一种萤光面之形成方法,特征为具备以下之工程:在基材上含有颜料形成使规定之波长之光透过之颜料层之工程,以及控制上述形成之颜料层之表面之电荷以及该表面之光的吸收之工程,以及将控制上述电荷以及上述光之吸收之颜料层之表面介经含有萤光体之萤光体层包覆之工程。2.一种萤光面之形成方法,其特征为具备以下之工程:在基材上含有颜料形成使规定之波长之光透过之颜料层之工程,以及在上述颜料层上形成含有矽石之矽石层之工程,以及将上述形成之矽石层介经含有萤光体之萤光体层包覆之工程。3.一种萤光面之形成方法,其特征为具备以下之工程:在基材上之互相不同之领域形成含有第1之颜料使第1之波长之光透过之第1之颜料层、以及含有第2之颜料使第2之波长之光透过之第2之颜料层之工程,以及在上述形成之第1以及第2之颜料层上分别形成含有矽石之第1以及第2之矽石层之工程,以及将上述形成之第1之矽石层介经含有第1之萤光体之第1之萤光体层包覆之工程,以及将上述形成之第2之矽石层介经含有第2之萤光体之第2之萤光体层包覆之工程。4.如申请专利范围第1项所述之萤光面之形成方法,其中上述颜料层之表面之电荷因应上述萤光体层之电荷而被控制着。5.如申请专利范围第1项所述之萤光面之形成方法,其中上述颜料层之表面之电荷被控制为成为负者。6.如申请专利范围第1项所述之萤光面之形成方法,其中上述颜料层之表面之光之吸收被控制为反射365nm附近之波长之光。7.如申请专利范围第1项或第2项所述之萤光面之形成方法,其中含于上述萤光体层之萤光体系因应上述颜料层透过之光之波长而被选择着。8.如申请专利范围第1项或第2项所述之萤光面之形成方法,其中含于上述萤光体层之萤光体系发出含有与上述颜料层透过之光之波长相同之波长之萤光。9.如申请专利范围第2项所述之萤光面之形成方法,其中上述形成矽石层之工程,具备:在上述颜料层之表面涂布胶状砂石溶液之工程,以及使上述涂布之胶状砂石溶液乾燥之工程。10.如申请专利范围第3项所述之萤光面之形成方法,其中上述第1以及第2之矽石层之形成工程具备:在上述第1以及第2之颜料层之表面涂布胶状矽石溶液之工程,以及使上述涂布之胶状矽石溶液乾燥之工程。11.如申请专利范围第3项所述之萤光面之形成方法,其中上述第1以及第2之颜料层透过之光之波长之峰値互为不同。12.如申请专利范围第3项所述之萤光面之形成方法,其中含于上述第1以及第2之萤光体层之萤光体系因应上述第1以及第2之颜料层透过之光之波长而分别被选择着。13.如申请专利范围第3项所述之萤光面之形成方法,其中含于上述第1以及第2之萤光体层之萤光体系发出含有与上述第1以及第2颜料层透过之光之波长相同之波长之萤光。14.如申请专利范围第9项或第10项所述之萤光面之形成方法,其中上述胶状矽石之粒子径为15nm以下。15.如申请专利范围第9项或第10项所述之萤光面之形成方法,其中上述胶状矽石溶液为酸性。16.如申请专利范围第9项或第10项所述之萤光面之形成方法,其中上述胶状矽石溶液之pH为2.0-5.0。17.如申请专利范围第9项或第10项所述之萤光面之形成方法,其中上述胶状矽石溶液含有0.2-5.0重量%之矽石。18.如申请专利范围第1项或第3项所述之萤光面之形成方法,其中上述基材为阴极射线管之面板。图式简单说明:第一图表示实施例1之萤光面之形成工程。第二图A表示实施例1之工程中之屏板之状态之剖面图。第二图B表示实施例1之工程中之屏板之状态之剖面图。第二图C表示实施例1之工程中之屏板之状态之剖面图。第二图D表示实施例1之工程中之屏板之状态之剖面图。第二图E表示实施例1之工程中之屏板之状态之剖面图。第二图F表示实施例1之工程中之屏板之状态之剖面图。第三图表示实施例2之萤光面之形成工程。第四图A表示实施例2之工程中之屏板之状态之剖面图。第四图B表示实施例2之工程中之屏板之状态之剖面图。第四图C表示实施例2之工程中之屏板之状态之剖面图。第四图D表示实施例2之工程中之屏板之状态之剖面图。第四图E表示实施例2之工程中之屏板之状态之剖面图。第四图F表示实施例2之工程中之屏板之状态之剖面图。 |
