| 发明名称 | 电容结构及其金属层布局 | ||
| 摘要 | 一种电容结构及其金属层布局。其中电容结构包含：第一金属层，包含：第一框结构；以及第一条形接片，位于该第一框结构并隔离在该第一框结构内；第二金属层包含：第二框结构；以及第二条形接片，位于该第二框结构并隔离在该第二框结构内；电介质层，形成于该第一金属层与该第二金属层之间。本发明提供的电容结构可以达到更大的单位电容值，且上述电容结构主框可提供额外的屏蔽效应，使本发明的电容结构达到更佳的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101593777A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200910140735.3 | 申请日期 | 2009.05.13 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 邱致荣;陈文淋 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 葛 强;张一军 |
| 主权项 | 1.一种电容结构，包含：第一金属层，包含第一框结构和第一条形接片，其中，该第一条形接片位于该第一框结构并隔离在该第一框结构内；第二金属层，包含第二框结构和第二条形接片，其中，该第二条形接片位于该第二框结构并隔离在该第二框结构内；以及电介质层，形成于该第一金属层与该第二金属层之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||