| 发明名称 | 接触孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种接触孔的形成方法，包括提供衬底，在衬底上具有掩模介质层，在所述掩模介质层上形成以氟化氪为曝光光源的光刻胶层；对所述光刻胶层光刻，形成具有第一通孔的刻蚀阻挡层；使用第一气体对掩模介质层进行第一刻蚀，在掩模介质层中形成向衬底方向直径逐渐缩小的第二通孔，第二通孔和第一通孔连通；对衬底进行第二刻蚀，形成接触孔。该方法有效的消除刻蚀的步骤中，在衬底中刻蚀阻挡层掩蔽的区域形成的刻蚀孔洞，并且使得光刻胶的成本降低。 | ||
| 申请公布号 | CN101593725A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810113996.1 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 沈满华;王新鹏;张世谋;孙武 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种接触孔的形成方法，其特征在于：提供衬底，在所述衬底上具有掩模介质层，在所述掩模介质层上形成以氟化氪为曝光光源的光刻胶层；对所述光刻胶层光刻，形成具有第一通孔的刻蚀阻挡层；使用第一气体对所述掩模介质层进行第一刻蚀，在所述掩模介质层中形成向衬底方向直径逐渐缩小的第二通孔，所述第二通孔和所述第一通孔连通；对所述衬底进行第二刻蚀，形成接触孔。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||