| 发明名称 | 金属布线结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种金属布线结构的制作方法，包括，提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的金属层间介质层；在金属层间介质层内形成互连结构；等离子体处理所述互连结构；在金属层间介质层以及互连结构上形成刻蚀阻挡层。所述方法避免相邻的互连结构之间产生电子迁移，并提高金属层间介质层与刻蚀阻挡层之间的结合力，提高了集成电路的相邻互连结构之间的击穿电压，减小了漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101593722A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810113989.1 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 蔡明;刘明源;徐强 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1.一种金属布线结构的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的金属层间介质层；在金属层间介质层内形成互连结构；等离子体处理所述互连结构；在金属层间介质层以及互连结构上形成刻蚀阻挡层。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||