| 发明名称 | 一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，通过交流磁控溅射制备不同带隙宽度(3.37～4.13eV)的高质量MgZnO合金薄膜，并在此基础上通过真空热蒸发和湿法刻蚀的方法制备MSM结构电极的MgZnO紫外光电探测器。采用本发明制备的MgZnO紫外光电探测器具备高的紫外可见比和较低的暗电流等优点，适用于太阳紫外线辐射监控、火焰探测、导弹预警等。 | ||
| 申请公布号 | CN100565940C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810050587.1 | 申请日期 | 2008.04.10 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 蒋大勇;张吉英;申德振;姚斌;赵东旭;张振中 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人 | 王淑秋 |
| 主权项 | 1、一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，其特征在于包括下列步骤：a.使用交流磁控溅射台，在衬底温度为300～600℃条件下，对Mg摩尔浓度为5％～40％的MgZnO合金靶进行溅射，制备出MgZnO合金薄膜；b.通过真空热蒸发的方法，在已制备的MgZnO合金薄膜上蒸镀Au膜。c.制备金属-半导体-金属结构的电极。 | ||
| 地址 | 130033吉林省长春市东南湖大路16号 | ||