由碳化硅制造的单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管及其制造方法

摘要

本发明描述了一种将具有蚀刻且注入的栅极的自对准的垂直结场效应晶体管和集成的反向平行的肖特基势垒二极管组合在一起的开关元件。二极管的阳极连接到该器件级的晶体管的源极以降低由杂散电感引起的耗损。SBD阳极区中的SiC表面通过干法蚀刻被调节以实现低肖特基势垒高度，从而降低与SBD的接通电压相关的功率耗损。

主权项

1.一种包括垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管的SiC半导体器件，该SiC半导体器件包括：第一导电型的SiC半导体衬底层；设置在所述衬底层上的第一导电型的SiC漂移层；设置在所述漂移层上的第一导电型的多个SiC源极区；在所述漂移层中形成的与第一导电型不同的第二导电型的多个SiC栅极区；包括与所述漂移层相邻的肖特基金属层的肖特基结；以及与所述漂移层相对地与衬底层相邻以及与所述源极区和栅极区相邻的欧姆触点；其中所述肖特基金属层在与所述源极区相邻的欧姆触点之上延伸以使肖特基金属和与所述源极区相邻的欧姆触点电接触，并且所述垂直结场效应晶体管的漏极也用作所述肖特基势垒二极管的阴极，所述垂直结场效应晶体管的源极也用作所述肖特基势垒二极管的阳极。