| 发明名称 | 隧道效应薄膜晶体管及其制造方法和使用其的显示器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，以及使用该薄膜晶体管的有机发光二极管。该薄膜晶体管包括：栅极；与所述栅极重叠的半导体层；置于所述半导体层和所述栅极之间的第一绝缘层；以所述半导体层作为沟道且置于不同层的第一电极和第二电极。该薄膜晶体管还包括置于所述第一电极和第二电极其中之一电极与所述半导体层之间的第二绝缘层；以及置于所述第一电极和第二电极中另一电极与所述半导体层之间的第一掺杂半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN100565928C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200610150748.5 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 金哲世 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁 挥 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管，包括：栅极；与所述栅极重叠的半导体层；置于所述半导体层和所述栅极之间的第一绝缘层；置于所述第一绝缘层和所述半导体层之间的第一电极；置于所述第一电极与所述半导体层之间的第二绝缘层；置于所述半导体层上的第二电极，其中所述第一电极和第二电极以所述半导体层作为沟道；以及置于所述半导体层和所述第二电极之间的第一掺杂半导体层，其中通过所述半导体层和所述第二绝缘层的厚度确定所述第一电极和所述第二电极之间的最大电流强度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||