| 发明名称 | 套刻对准标记及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种套刻对准标记的制作方法，包括：提供形成有第一导电层的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一子套刻对准标记区域和第二子套刻对准标记区域；去除第二子套刻对准标记区域的第一导电层，在第一子套刻对准标记区域相应形成的第一子套刻对准标记包括第一导电层；在半导体衬底上第二子套刻对准标记区域形成第二子套刻对准标记。相应地，本发明还提供一种套刻对准标记。本发明通过先去除第二子套刻对准标记区域内的第一导电层，刻蚀阻挡层的气体不会接触到第一导电层，从而避免现有技术的由于刻蚀阻挡层的气体与第一导电层相接触生成挥发性物质而污染刻蚀设备的腔室、且在第一导电层中产生大量的空洞的缺陷，稳定了工艺过程。 | ||
| 申请公布号 | CN101593744A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810113664.3 | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张峻豪 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1.一种套刻对准标记的制作方法，其特征在于，包括：提供形成有第一导电层的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一子套刻对准标记区域和第二子套刻对准标记区域；去除第二子套刻对准标记区域的第一导电层，在第一子套刻对准标记区域相应形成的第一子套刻对准标记包括第一导电层；在半导体衬底上第二子套刻对准标记区域形成第二子套刻对准标记。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||