发明名称 |
一种湿法腐蚀制作集成压阻SiO<sub>2</sub>悬臂梁的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种使用湿法腐蚀在硅片单面低成本制作集成压阻二氧化硅悬臂梁的方法,属于硅微机械制造技术领域。具体特征是使用四甲基氢氧化铵水溶液通过各向异性腐蚀释放二氧化硅悬臂梁结构,并且使用钛金铬三层复合金属作为引线,与硅压阻形成良好的欧姆接触,同时兼容湿法腐蚀以及后期的化学敏感修饰。本发明的特点是制作工艺成本低廉、节约时间、成品率高、可批量生产且便于和压敏电阻集成。 |
申请公布号 |
CN101590997A |
申请公布日期 |
2009.12.02 |
申请号 |
CN200910053221.4 |
申请日期 |
2009.06.17 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
李昕欣;陈滢;杨永亮 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;C23F1/40(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
潘振黡 |
主权项 |
1、一种湿法腐蚀制作集成压阻SiO2悬臂梁的方法,包括压阻敏感电阻的形成,金属引线的形成、敏感薄膜粘附层的形成和悬臂梁的形成和释放,其特征在于使用四甲基氢氧化铵水溶液湿法腐蚀从硅片单面释放悬臂梁和使用钛金铬三层复合金属作为引线,与硅压阻形成欧姆接触。 |
地址 |
200050上海市长宁区长宁路865号 |