| 主权项 |
1.一种化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,包括:提供一晶片,该晶片已完成化学机械研磨制程;以及将该晶片置于一具有高周波之一溶剂槽清洗。2.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该高周波之频率约为105-107Hz左右。3.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括含胺的化合物。4.如申请专利范围第2项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括含胺的化合物。5.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括Hydrosylamine和Catechol。6.如申请专利范围第2项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括Hydrosylamine和Catechol。7.如申请专利范围第1项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中将晶片置于该高周波之溶剂槽清洗之前,更包括一双面刷洗的步骤。8.如申请专利范围第7项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该高周波的频率包括105-107Hz左右。9.如申请专利范围第7项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括含胺的化合物。10.如申请专利范围第8项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括含胺的化合物。11.如申请专利范围第7项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括Hydrosylamine和Catechol。12.如申请专利范围第8项所述之化学机械研磨制程后清洗晶片的方法,其中该溶剂包括Hydrosylamine和Catechol。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示习知一种金属内连线制造方法的流程示意图;第二图系习知一种化学机械研磨制程后清洗晶片方法的方块流程图;第三图A至第三图D,其所绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种金属内连线制造方法的流程示意图;以及第四图系本发明之一种化学机械研磨制程后清洗晶片方法的方块流程图; |
