形成Ti膜的成膜方法

摘要

在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。

主权项

1.一种用于在被处理基板上形成Ti膜的成膜方法，其特征在于，该方法具有：准备成膜装置的工序，所述成膜装置具有：收容被处理基板的处理容器、向所述处理容器内提供处理气体的气体供给部、对所述处理容器内部进行排气的排气部、配设在所述处理容器内且具有载置所述被处理基板的上面和从所述上面下降的侧面的载置台、和配设在所述载置台内且通过所述上面加热所述被处理基板的加热器，所述气体供给部包括配设在所述载置台的上方的浇淋头；通过向所述处理容器内提供前处理气体而进行热CVD处理，来形成覆盖所述载置台的所述上面和所述侧面的预覆层的工序，设定所述预覆层，使其具有使由所述加热器的加热得到的来自所述上面和所述侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度；在形成所述预覆层后，将所述被处理基板搬入所述处理容器内，将所述被处理基板载置在所述载置台的所述上面上的工序；通过向所述处理容器内提供主处理气体并利用等离子体CVD来进行主成膜处理，在所述载置台上的所述被处理基板上形成Ti膜的工序，所述利用等离子体CVD形成Ti膜的工序中，将所述加热器的温度设定为成膜温度，形成所述预覆层的工序中，将所述加热器的温度设定为比所述成膜温度高10～30℃。