| 发明名称 | 原位腐蚀降低HVPE GaN薄膜位错密度的方法 | ||
| 摘要 | 原位腐蚀降低HVPE GaN薄膜位错密度的方法，在氢化物气相外延生长系统中，先在衬底上生长GaN薄膜，再采用HCl腐蚀的方法将GaN厚膜中薄膜表面进行腐蚀，腐蚀的步骤是：停止GaN薄膜生长，将生长温度降低至700-950℃，通入HCl气体，HCl流量从5sccm到50sccm对HVPE GaN进行原位腐蚀，时间从3到60分钟；然后再将生长温度提升至最初1000-1100℃，继续进行GaN的HVPE生长；重复上述腐蚀和继续生长过程，直至生长到合适厚度的GaN薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100564617C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200710190079.9 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 修向前;张荣;谢自力;韩平;顾书林;施毅;郑有炓 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武;王鹏翔 |
| 主权项 | 1、原位腐蚀降低HVPE GaN薄膜位错密度的方法，在氢化物气相外延生长系统中，先在衬底上生长GaN薄膜，其特征是再采用HCl腐蚀的方法将GaN薄膜表面进行腐蚀，腐蚀的步骤是：停止GaN薄膜生长，将生长温度降低至700-950℃，通入HCl气体，HCl流量从5sccm到50sccm对HVPE GaN进行原位腐蚀，腐蚀时间从3到60分钟；然后再将生长温度提升至最初1000-1100℃，继续进行GaN的HVPE生长；重复上述腐蚀和继续生长过程，直至生长到合适厚度的GaN薄膜；在降温过程持续通氨气，流量从25sccm到1500sccm，腐蚀开始时关闭氨气。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||