新型空隙集成计划

摘要

本文提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应、沉积含成孔剂的材料、以及移除至少一部分的含成孔剂的材料、通过供应成孔剂的前驱物反应沉积有机层至多孔的低介电常数层上、在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构、将导电材料填入特征界定结构、沉积屏蔽层至有机层和特征界定结构内的导电材料上、在屏蔽层中形成穿孔以露出有机层、透过穿孔移除部分或全部的有机层、以及在导电材料旁形成空隙。

主权项

1.一种形成一镶嵌结构的方法，该方法至少包含：以一包含以下步骤的方法沉积一多孔性低介电常数层：使一有机硅化合物与一供应成孔剂(porogen)的前驱物反应；沉积一含成孔剂的材料；以及移除至少一部分的该含成孔剂的材料；通过使该供应成孔剂的前驱物反应而沉积一有机层在该多孔性低介电常数层上；在该有机层和该多孔性低介电常数层中形成一特征界定结构(featuredefinition)；将一导电材料填入该特征界定结构中；沉积一屏蔽层在该有机层和该特征界定结构内的导电材料上；在该屏蔽层中形成数个穿孔以暴露该有机层；透过该些穿孔移除一部分或全部的该有机层；以及在该导电材料旁形成一空隙。