| 主权项 |
1.一种制造双纹路结构之方法,包含;a)在至少包含一导电区之半导体基板上形成一层抛弃式(sacrificial)材料层;b)使抛弃式材料层之样态化以在该导电区上能至少提供一柱(stud);c)在环绕至少一柱之半导体基板上形成介电层;及d)在中间金属介电层中,形成导线开口,至少一柱之一部分会暴露在开口之中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该抛弃式材料层之蚀刻速率大于该中间金属介电层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该抛弃式材料层之材料系选择自由可流动的氧化物,CVD氧化物,BSG,SiN聚对苯二甲撑(parylene),聚醯亚胺和PBO所组成之组群。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该中间金属介电层之材料系选择自由有机掺杂的CVD氧化物,CVD氧化物和含矽有机材料所组成之组群。5.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含:在形成导线开口前之中间金属介电层的平坦化步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,还包含之步骤为:e)自该中间金属介电层移除该至少一柱,以形成通道;及f)沈积一导电材料在该通道内。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该导电材料系选择自由W和Al组成之组群。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该移除步骤包含蚀刻该至少一柱。9.如申请专利范围第8项之方法,其中蚀刻步骤中所用之蚀刻剂系选自BHF和氧所组成之组群。10.一种制造双纹路结构之方法,包括:a)在至少一部分的半导体基板上形成一抛弃式材料层,该抛弃式材料层系要制作成至少一个柱之样态;b)在至少一部分的该半导体基板上形成一中间金属介电层,环绕并覆盖至少一柱,该中间金属介电层具有一平坦的表面;c)蚀刻该中间金属介电层,至少要形成一个导线开口;及d)自该中间金属介电层移除该至少一柱而形成通路。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该抛弃式材料层之蚀刻速率高于该中间金属介电层。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该抛弃式材料层之材料系选择自由可流动的氧化物,CVD氧化物,BSG,SiN,对苯二甲撑,聚醯亚胺和PBO所组成之组群。13.如申请专利范围第10项之方法,其中该中间金属介电层之材料系选择自由有机掺杂的CVD氧化物,CVD氧化物和含矽有机材料所组成之组群。14.如申请专利范围第10项之方法,其中该移除步骤包含该至少一柱之蚀刻。15.如申请专利范围第14项之方法,其中在蚀刻步骤所使用之蚀刻剂系选择自由BHF和氧所组成之组群。16.如申请专利范围第10项之方法,还包含用导电材料填充在该中间金属介电层中之通路的步骤。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该导电材料系选择自由W和Al所组成之组群。18.一种形成双纹路结构所用之结构,包含:-基板;-形成在该基板上,具有第一蚀刻速率之抛弃式材料柱;-具有第二蚀刻速率且环绕该柱之中间金属介电层,该第一蚀刻速率大于第二蚀刻速率;及-导线开口,形成在该中间金属介电层中,且曝露一部分之柱。19.如申请专利范围第18项之结构,其中该基板包含一导体,且该柱位在一部分之导体上。图示简单说明:第一图为在半导体基板上所形成之抛弃式材料层的横截面图;第二图为在半导体基板上,将该抛弃式材料层制成螺栓图案之横截面图;第三图为形成在该半导体基板表面上,且覆盖该柱之上表面之该内金属介电层之横截面图;第四图为蚀刻后之导线开口的横截面图;第五图为移除柱后之导线开口的横截面图;及第六图为填满导电金属层之导线开口和通路开口的横截面图。 |
