| 发明名称 | 薄膜半导体装置的制作方法及薄膜半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7-1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7-1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7-2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7-1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7-2)和第一栅极绝缘膜(7-1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101595568A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200880003389.8 | 申请日期 | 2008.01.28 |
| 申请人 | 索尼株式会社;独立行政法人理化学研究所 | 发明人 | 野本和正;平井畅一;安田亮一;八木岩;三成刚生;塚越一仁;青柳克信 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1、一种薄膜半导体装置的制作方法，特征在于：在形成覆盖基板上的栅极电极的第一栅极绝缘膜并在该第一栅极绝缘膜上形成成对的源极/漏极电极之后，仅在从该源极/漏极电极露出的该第一栅极绝缘膜上选择性地形成第二栅极绝缘膜，并且形成薄膜半导体层，该薄膜半导体层经由该第二栅极绝缘膜从该源极/漏极电极到该第一栅极绝缘膜连续覆盖并与该源极/漏极电极接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||