| 发明名称 | 在叠层介质层中刻蚀开口的方法 | ||
| 摘要 | 一种在叠层介质层中刻蚀开口的方法，包括：提供基底，所述基底上具有叠层介质层；在所述叠层介质层上形成光刻胶层，接着图形化该光刻胶层，形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的叠层介质层，至该叠层介质层中的最下面一层露出时为止；去除所述光刻胶层；刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层，形成贯穿所述叠层介质层的开口；其中，刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层的步骤中的刻蚀感应耦合等离子体刻蚀。本发明能够减小在叠成介质层中刻蚀开口时对开口侧壁造成的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101593721A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200810113691.0 | 申请日期 | 2008.05.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 尹晓明;张世谋;沈满华;孙武 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1、一种在叠层介质层中刻蚀开口的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有叠层介质层；在所述叠层介质层上形成光刻胶层，接着图形化该光刻胶层，形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的叠层介质层，至该叠层介质层中的最下面一层露出时为止；去除所述光刻胶层；刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层，形成贯穿所述叠层介质层的开口；其中，刻蚀所述开口图案底部的所述的叠层介质层中的最下面一层的步骤中的刻蚀感应耦合等离子体刻蚀。 | ||
| 地址 | 100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||