| 发明名称 | 溅射方法及溅射装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种溅射方法及溅射装置，其构成简单，能够实现低温低损伤成膜，并且生产性高。本发明是在真空容器内在被成膜对象物上形成初期层后再在初期层上形成第二层的溅射方法，其特征在于，在所述真空容器内，将一对靶子配置为，其表面之间隔开间隔地相互面对，并且该表面朝向配置于靶子间的侧方的被成膜对象物倾斜，在所述一对靶子的对置面侧产生磁场空间而进行溅射，用该被溅射出的溅射粒子在被成膜对象物上形成初期层，再以比初期层的成膜速度快的成膜速度在被成膜对象物上形成第二层。 | ||
| 申请公布号 | CN101595241A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200880003117.8 | 申请日期 | 2008.01.25 |
| 申请人 | 株式会社大阪真空机器制作所;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 植田吉彦;茂山和基;福森弘司 |
| 分类号 | C23C14/56(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒运朴;李 伟 |
| 主权项 | 1.一种溅射方法，在真空容器内在被成膜对象物上形成初期层后再在初期层上形成第二层，其特征在于，在所述真空容器内，将一对靶子配置为：其表面之间隔开间隔地相互面对，并且该表面朝向配置于靶子间的侧方的被成膜对象物倾斜，在所述一对靶子的对置面侧产生磁场空间而进行溅射，用该被溅射出的溅射粒子在被成膜对象物上形成初期层，再以比初期层的成膜速度快的成膜速度，在被成膜对象物上形成第二层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||