发明名称 | 用于半导体衬底的高压处理室 | ||
摘要 | 高压处理室包括室外壳、工作台以及机械驱动机构。室外壳包括第一密封表面。工作台包括用于支撑半导体衬底的区域以及第二密封表面。机械驱动机构将工作台连接到室外壳。在操作中,机械驱动机构将工作台与室外壳分开,用于装载半导体衬底。在进一步的操作中,机械驱动机构使工作台的第二密封面以及室外壳的第一密封表面在半导体衬底的周围形成高压处理室。 | ||
申请公布号 | CN100565782C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
申请号 | CN01813187.5 | 申请日期 | 2001.07.24 |
申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | M·A·比伯格;F·P·莱曼;T·R·苏顿 |
分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 蔡民军 |
主权项 | 1.一种处理半导体衬底的高压室,包括:a.包括第一密封表面的室外壳;b.包括多个注入喷嘴的隔圈,隔圈密封到第一密封表面;c.包括用于支撑半导体衬底的区域和第二密封表面的工作台;和d.带有汽缸、密封板、活塞的单个机械驱动机构,单个机械驱动机构将工作台连接到室外壳,从而在操作中所述单个机械驱动机构可将第二密封表面与隔圈分离,用于装载半导体衬底,此外在操作中,单个机械驱动机构可使工作台的第二密封表面密封到隔圈,从而,隔圈、第一密封表面和第二密封表面形成并维持一晶片腔,晶片腔包括在高压处理期间用于支撑半导体衬底的区域。 | ||
地址 | 日本东京都 |