发明名称 一种用于阶梯覆盖检查的透射电子显微镜样品制备方法
摘要 一种半导体集成电路制造工艺中用于阻障层和籽晶层(Barrier/Seed)阶梯覆盖检查的透射电子显微镜样品的制备方法,先在作为半导体基底的电介质上用物理气相沉积的方法沉积阻障层和籽晶层,于籽晶层上再沉积一层封盖层以防止籽晶层受热团聚,然后进行取样步骤。由于封盖层的存在,取样步骤产生的热量不会使籽晶层团聚。得到的电子显微镜照片籽晶层剖面轮廓清晰,可以准确测量其厚度。
申请公布号 CN100565170C 申请公布日期 2009.12.02
申请号 CN200510025977.X 申请日期 2005.05.19
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 牛崇实;高强;张启华;吴廷斌
分类号 G01N1/06(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;G01N13/00(2006.01)I 主分类号 G01N1/06(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 李 勇
主权项 1、一种透射电子显微镜样品的制备方法,先在作为半导体基底的电介质上用物理气相沉积的方法沉积阻障层和籽晶层,再进行环氧化物粘着和硬化、聚焦离子束(FIB)切割和离子束研磨这些电子显微镜样品的取样步骤,其特征在于,在进行电子显微镜样品的取样步骤前还包括沉积一层封盖层的步骤,所述封盖层覆盖在籽晶层之上。
地址 201203上海市浦东新区张江路18号