| 主权项 |
1.一种沟渠隔离制程,至少包含以下步骤:提供一半导体基材,该基材内已定义凹陷之沟渠,该基材上于该沟渠以外之区域系以非该基材之材质加以覆盖;以及使用选择性氧化矽沈积之制程,填入氧化矽于该沟渠内,以减少于该基材上该沟渠以外区域上氧化矽材质沈积。2.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,更包含于上述之选择性氧化矽沈积制程后,进行一回火热处理制程,以密实化该氧化矽材质。3.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,更包含于上述之选择性氧化矽沈积制程后,进行平坦化制程,以去除该基材上该沟渠以外区域之表面氧化矽材质。4.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,其中上述之半导体基材至少包含矽基材。5.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽沈积至少包含使用四乙基矽酸盐(TEOS)及臭氧做为反应气体,以达成沈积氧化矽于矽表面时、相对于非矽表面之沈积选择性。6.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽沈积中,臭氧与四乙基矽酸盐(TEOS)之气体体积流量比约为10:1至100:1之间。7.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,其中上述之基材上于该沟渠以外之区域,系以垫氧化矽层以及垫氧化矽层之上的氮化矽层加以覆盖。8.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽系直接形成于该沟渠内,而不需于该沟渠内先行覆盖热氧化之衬氧化矽层。9.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,其中上述之氧化矽系填满该沟渠至该基材表面以上。10.如申请专利范围第9项之沟渠隔离制程,更包含于上述之选择性氧化矽沈积制程后,进行平坦化制程,以去除该基材上该沟渠以外区域之表面氧化矽材质。11.如申请专利范围第1项之沟渠隔离制程,其中上述之氧化矽仅填入该沟渠至部分高度,以供后续制程填入其他材质之用。12.如申请专利范围第11项之沟渠隔离制程,更包含于上述之选择性氧化矽沈积制程后,进行蚀刻制程,藉湿蚀刻制程以去除该沟渠内未填满氧化矽区域处、侧壁表面上之部分氧化矽材质。13.一种沟渠隔离制程,至少包含以下步骤:提供一半导体基材,该基材内已定义凹陷之沟渠,该基材上于该沟渠以外之区域系以非该基材之材质加以覆盖;使用选择性氧化矽沈积之制程,填入氧化矽于该沟渠内,并减少于该基材上该沟渠以外区域上氧化矽材质之沈积;进行一回火热处理制程,以密实化该氧化矽材质;以及进行平坦化制程,以去除该基材上该沟渠以外区域之表面氧化矽材质。14.如申请专利范围第13项之沟渠隔离制程,其中上述之半导体基材至少包含矽基材。15.如申请专利范围第13项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽沈积至少包含使用四乙基矽酸盐(TEOS)及臭氧做为反应气体,以达成沈积氧化矽于矽表面时、相对于非矽表面之沈积选择性。16.如申请专利范围第13项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽沈积中,臭氧与四乙基矽酸盐(TEOS)之气体体积流量比约为10:1至100:1之间。17.如申请专利范围第13项之沟渠隔离制程,其中上述之基材上于该沟渠以外之区域,系以垫氧化矽层以及垫氧化矽层之上的氮化矽层加以覆盖。18.如申请专利范围第13项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽系直接形成于该沟渠内,而不需于该沟渠内先行覆盖热氧化之衬氧化矽层。19.如申请专利范围第13项之沟渠隔离制程,其中上述之氧化矽系填满该沟渠至该基材表面以上。20.如申请专利范围第19项之沟渠隔离制程,其中上述之平坦化制程至少包含化学机械研磨。21.一种沟渠隔离制程,至少包含以下步骤:提供一半导体基材,该基材内已定义凹陷之沟渠,该基材上于该沟渠以外之区域系以非该基材之材质加以覆盖;使用选择性氧化矽沈积之制程,填入氧化矽于该沟渠内,并减少于该基材上该沟渠以外区域上氧化矽材质之沈积,其中该氧化矽仅填入该沟渠至部分高度,以供后续制程填入其他材质之用;以及进行蚀刻制程,藉由湿蚀刻制程以去除该沟渠内未填满氧化矽区域处、侧壁表面上之部分氧化矽材质。22.如申请专利范围第21项之沟渠隔离制程,更包含于上述之湿蚀刻制程后,进行一回火热处理制程,以密实化该氧化矽材质。23.如申请专利范围第21项之沟渠隔离制程,其中上述之半导体基材至少包含矽基材。24.如申请专利范围第21项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽沈积至少包含使用四乙基矽酸盐(TEOS)及臭氧做为反应气体,以达成沈积氧化矽于矽表面时、相对于非矽表面之沈积选择性。25.如申请专利范围第21项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽沈积中,臭氧与四乙基矽酸盐(TEOS)之气体体积流量比约为10:1至100:1之间。26.如申请专利范围第21项之沟渠隔离制程,其中上述之基材上于该沟渠以外之区域,系以垫氧化矽层以及垫氧化矽层之上的氮化矽层加以覆盖。27.如申请专利范围第21项之沟渠隔离制程,其中上述之选择性氧化矽系直接形成于该沟渠内,而不需于该沟渠内先行覆盖热氧化之衬氧化矽层。图式简单说明:第一图显示传统半导体制程所应用之隔离区域之截面示意图。第二图显示传统沟渠隔离制程中形成氧化矽层于沟渠内及基材上方之截面示意图。第三图显示本发明中之沟渠隔离制程、选择性的形成氧化矽层于沟渠内的截面示意图。第四图显示本发明中之沟渠隔离制程、选择性的形成氧化矽层于沟渠内至部分高度处的截面示意图。 |
