| 主权项 |
1.一种利用贵金属 播晶核的基质,其特征在:该贵金属 以化学方式结合到该基质表面。2.如申请专利范围第1项之基质,其中:一种有结合性的基团X-(K)m用游离基X经至少一氧桥结合到该基质表面,且该基K可与贵金属作错合,其中m为1-3间的整收,且宜为1。3.如申请专利范围第1或第2项之基质,其中:X从矽烷基、烃基、锆氢基、钛氢基、及含铝之游离基选出,而K为一官能基,如一烯基、炔基、芳基(它何可为被取代者)或一胺基。4.如申请专利范围第1或第2项之基质,其中:该基质材料为氧化物或表面能形成一氧化物膜,且宜由玻璃、陶瓷、氮化物、氧氮化物、碳化物、矽化物、锆氧化物、镍氧化物、铝酸 、氧化铝及塑胶或上述材料的二种或更多种的组合选出。5.如申请专利范围第1或第2项之基质,其中:该基质呈粉末形式存在,其粒子太小在100nm-300m的范围之间。6.如申请专利范围第1或第2项之基质,其中:该贵金属为VIIIB族的金属且宜为钯或铂。7.一种将基质用一种贵金属 播晶核的方法,其特征在:该贵金属以化学方式结合到基质表面。8.如申请专利范围第7项之方法,其中:该贵金属藉着至少一种双官能基化合物结合到基质上,该化合物一边可与基质表面反应,另一边可与贵金属 反应。9.如申请专利范围第7项之方法,其中:将一种氧化物基质表面或用氧化物膜被覆的基质表面与至少一种通式(A)n-X-(K)m的双官能基化合物作用,其中A为一反应基,它可与氧化物上之水合物包封作用,形成接到游离基X的氧桥,K为一个将贵金属错合的基,n与m为1-3间的一整数,且宜各为1;然后用一种可溶之错合贵金属化合物反应,该化合物可与官能基K作配位子交换;且将该 用习知方式还原。10.如申请专利范围第7项之方法,其中:该X与K如申请专利范围第3项之定义,而A由卤素、酯基、羧基及卤化醯基选出。11.如申请专利范围第7项之方法,其中:该至少双官能基之化合物由烯丙基二甲基氯矽烷,油酸、亚麻油酸、酸及胺基丙基甲基二甲氧基矽烷选出。12.如申请专利范围第7项之方法,其中:该使用之贵金属 与一种错合物形成剂如环戊二烯或基反应。13.如申请专利范围第7项之方法,其中:该基质材料由申请专利范围第4项的材料之一选出。14.如申请专利范围第7项之方法,其中:该基质在播晶核前用侵蚀剂如硷金属氢氧化物,特别是氢氧化钠,或含氢氟酸的溶液,如氢氟酸溶液或含HF/NH4F混合物的溶液作处理。15.一种用一贵金属 播晶核的粉末,其特征在:该晶核用一金属层包覆。16.如申请专利范围第15项之粉末,其中:该晶核以化学方式结合到粉末表面。17.如申请专利范围第16项之粉末,其中:该晶核以化学方式依申请专利范围第1项之方法结合到粉末表面。18.如申请专利范围第16项之粉末,其中:该粉末由申请专利范围第4项所述之材料构成,且宜由玻璃或陶瓷构成。19.如申请专利范围第15项之粉末,其中:该金属覆层含一种合金,如Ni/W、Ni/Sn、Co/W及Co/Mo;及一种单一金属,如Ni、Cu、Ag、Au及铂金属;或金属氧化物,如CuO及Cu2O。20.如申请专利范围第15项之粉末,其中:它的粒子大小在100nm及300m范围之间。21.将粉末镀金属的方法,其特征在:将该粉末表面用一贵金属 播晶核,其中该贵金属以化学方式结合到基质上,然后用习知方式作无电流镀金属。22.如申请专利范围第21项之方法,其中:将该粉末如申请专利范围第7项之方式播晶核,然后在一浴液中作无电流镀金属,该浴液含有一种或更多之所要施覆之金属的 ,及一种还原剂,其还原电位依该 及该贵金属 而定。 |
