| 发明名称 | 金属Sn掺杂MgB<sub>2</sub>超导体及高温快速制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属Sn掺杂MgB<sub>2</sub>超导体及高温快速制备方法。超导体结构式为(Mg<sub>1.02</sub>B<sub>2</sub>)<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>，其中x＝0.01～0.05。将Mg粉、B粉和Sn粉按原子比充分混合，在2～10MPa的压力下压制成圆柱体薄片，然后放入高温差示扫描量热仪或管式烧结炉中进行烧结；以5～20℃/min升温速率的连续加热到在850～900℃间进行烧结处理，然后以30～40℃/min的冷却速度降至室温。由于MgB<sub>2</sub>实际应用领域在3T左右的磁场下，因此本发明通过掺杂金属Sn并运用高温烧结法在较短时间内提高了MgB<sub>2</sub>超导体的超导电性能。本发明制备方法简单，原料成本低廉，制备时间短，同时获得的超导体的超导特性明显，是一种非常有潜力的研究方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101591172A | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200910069439.9 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 刘永长;姜海;马宗青;董治中;余黎明 |
| 分类号 | C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 王 丽 |
| 主权项 | 1.一种金属Sn掺杂MgB2超导体，其特征是结构式为(Mg1.02B2)1-xSnx，其中x＝0.01～0.05。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号天津大学 | ||