| 发明名称 | 场效应晶体管、集成电路元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明一个实施例的场效应晶体管，具有：含有Si原子的半导体衬底，形成在上述半导体衬底上、含有Si原子和Ge原子的突起结构，形成在上述突起结构内、含有Ge原子的沟道区域，形成在上述突起结构中上述沟道区域的下部、含有的Si原子和Ge原子中Ge的组成比从上述沟道区域侧到上述半导体衬底侧连续变化的沟道下部区域，形成在上述沟道区域上的栅绝缘膜，隔着上述栅绝缘膜形成在上述沟道区域上的栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN100565922C | 申请公布日期 | 2009.12.02 |
| 申请号 | CN200710089064.3 | 申请日期 | 2007.03.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 手塚勉;入沢寿史 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，具有：含有Si原子的半导体衬底，形成在上述半导体衬底上、含有Si原子和Ge原子的突起结构，形成在上述突起结构内、含有Ge原子的沟道区域，形成在上述突起结构中的上述沟道区域的下部、含有的Si原子和Ge原子中Ge的组成比从上述沟道区域一侧到上述半导体衬底一侧连续减少的沟道下部区域，形成在上述沟道区域上的栅绝缘膜，隔着上述栅绝缘膜形成在上述沟道区域上的栅极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||