在冷壁CVD系统中抑制晶片温度偏移的系统和方法

摘要

公开了在基座内使用一个或多个光纤的设备和相应方法，该光纤监测基座背面发射的辐射。光纤被过滤并转换为电信号。使用控制系统，通过在沉积周期内保持该电信号不变而维持恒定的晶片温度。这克服了在低温和减压下在图形化晶片上非选择性外延和生长多晶硅时晶片温度变化引发的问题。

主权项

1.一种晶片制造设备，包括：包括晶片支撑(11)的基座(30)，该晶片包括顶面和底面，所述基座(30)包括旋转部分(31)和静止部分(32)；至少两个光纤(37、38)，其连接到基座(30)的旋转部分(31)，使得可以监测来自晶片底面的辐射，其中所述至少两个光纤(37、38)设置成与旋转部分(31)一起旋转；以及光信号测量器(39)，所述光信号测量器(39)通过静止的监测装置(41)在光学上耦合到所述至少两个光纤(37、38)。